机译:通过高温N 2退火改善4H-SiC MOSFET中的N和P沟道迁移率
机译:由超高温度栅极氧化制造的良好平衡的N型和P沟道MOSFET构成的4H-SIC CMOS电路的演示
机译:离子注入n阱上制造的4H-SiC(0001)p沟道MOSFET的控制特性
机译:具有Epi沟道结构的4H-SiC p沟道MOSFET
机译:单通道压缩应变下具有沟道的p沟道MOSFET的凹陷硅锗结参数优化研究。
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:通过氧化沉积和N2O退火制造的4H-SiC {0001}和非基面上的P沟道MOSFET
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。