Vishay推新款20V芯片级MOSFET延长电池工作时间

郑畅

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正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET—Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片级MICRO FOOT封装,高度只有0.54mm,在小尺寸1mm2占位的20V器件中具

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来源
《半导体信息》|2015年第2期|P.12-12|共1页
作者
郑畅;
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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
芯片级; Vishay; 电池工作时间; 电池使用时间; 导通电阻; 平板电脑; 供货周期; 负载开关; 塑料封装; 高速开关;

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