摘要
第一章 引言
1.1 集成电路的发展现状
1.2 功率半导体器件的发展现状
1.3 功率MOSFET的发展现状
1.4 失效分析
1.5 选题的依据与意义
第二章 沟槽栅MOSFET基本原理与工艺介绍
2.1 沟槽栅MOSFET的结构和工作原理
2.2 沟槽栅MOSFET元胞结构
2.3 沟槽栅MOSFET的特性参数
2.4 沟槽栅MOSFET工艺流程
第三章 失效分析技术与设备简介
3.1 失效分析目的与意义
3.2 失效分析流程
3.3 芯片级失效分析的分类
3.4 失效分析设备
第四章 沟槽栅MOSFET芯片级失效分析
4.1 多晶硅残留引起IGSS失效
4.2 芯片边缘色差引起VTH/IDSS失效
4.3 晶格位错引起VTH失效
4.4 接触孔刻蚀过深引起IDSS失效
4.5 铝尖刺引起BVDSS失效
4.6 多晶硅空洞引起BVDSS失效
4.7 接触孔位置偏移引起RDS(ON)失效
4.8 异常注入层引起IDSS失效
第五章 分离栅沟槽MOSFET芯片级失效分析
5.1 分离栅沟槽MOSFET结构
5.2 分离栅沟槽MOSFET工艺流程
5.3 栅极多晶硅残留引起IGSS失效
5.4 沟槽台阶损伤引起IGSS失效
5.5 二层多晶硅之间的氧化层过薄引起IGSS失效
第六章 总结
参考文献
致谢
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