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Vishay Intertechnology 20 V Chipscale MOSFET Saves Space, Extends Battery Usage in Ultraportable Applications

机译:Vishay Intertechnology 20 V Chipscale MOSFET节省了空间,在超客户端延长了电池用途

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摘要

Vishay Intertechnology, Inc. has introduced a TrenchFET 20 V n-channel MOSFET designed to save space, decrease power consumption and extend battery usage in wearable devices, smartphones, tablets and solid-state drives. Offered in a chip-scale MICRO FOOT package with a 0.54 mm maximum height, the Vishay Siliconix Si8410DB provides a low on-resistance for a 20 V device in a 1 mm square footprint.
机译:Vishay Intertechnology,Inc。推出了一个TrenchFET 20 V N沟道MOSFET,旨在节省空间,降低功耗,并在可穿戴设备,智能手机,平板电脑和固态驱动器中延长电池使用。 Vishay Siliconix Si8410DB提供0.54 mm的芯片级微足脚封装,可在1mm平方占地面积为20 V器件提供低电阻。

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