机译:20 nm栅极长度In $ _ {bf 0.53} $ Ga $ _ {bf 0.47} $ As无植入量子阱MOSFET的性能的仿真研究
机译:20 nm栅长Ge无注入量子阱p-MOSFET的仿真研究
机译:通过混合干法和湿法硬掩模蚀刻制造的20 nm物理栅极长度NMOSFET,具有1.2 nm栅极氧化物
机译:栅极长度低于20 nm的高性能量子阱InGaAs-On-Si MOSFET
机译:使用硅纳米孔和20--40 nm栅长RFNMOSFET检测DNA。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:100Å互补硅化物源极/漏极薄体mOsFET,适用于20nm栅极长度范围