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硅外延工艺中HCI气相腐蚀技术研究

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摘要

主要对硅外延工艺中的IICI气相腐蚀原理以及HCI气庸对外延工艺的作用进行了分析.从HCI腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCI气腐对外延层影响的规律.

著录项

来源
《科技创新导报》|2008年第33期|254-254|共1页
作者
徐非;
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作者单位

东南大学电子科学与工程学院,南京,210096;

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正文语种 chi
中图分类 TQ1;
关键词
外延层; 气相腐蚀; 自掺杂;

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