Vapor Phase Epitaxy ; Doped Materials ; Electrical Properties ; Gallium Antimonides ; Indium Antimonides ; Semiconductor Materials ; Silicon ; Hall Effect ; Hole Mobility ; Experimental Data ; Meetings ; Tables(data);
机译:通过金属机气相外延生长的p型Al_(0.8)Ga_(0.2)n上的含碳空穴注入层沉积
机译:金属有机气相外延生长具有深Al(As)Sb / InAsSb / Al(As)Sb量子的GaSb基纳米异质结构的光电性能
机译:金属有机汽相外延生长在GaAs衬底上的In0.2Ga0.8As层中的位错密度与温度的关系
机译:金属有机气相外延生长的InAs / GaSb超晶格的结构和电学性质,用于中波长红外探测器
机译:金属有机气相外延生长的薄膜InMnSb多相半导体合金的相稳定性和铁磁性
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:硅作为Gasb中的p型掺杂剂和Ga {sub 0.8} In {sub 0.2} sb通过金属有机气相外延生长
机译:硅作为Gasb中的p型掺杂剂和Ga(sub 0.8)In(sub 0.2)sb通过金属有机气相外延生长