液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究

摘要

本文利用液相外延方法,在较大组分范围内(0≤x≤0.17,0≤y≤0.12),成功地生长出了晶格匹配于(100)GaSb衬底的In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-x)四元材料,并对其性质进行了实验观察和研究。结果表明,这种表面光亮、层厚均匀、异质结界面平直以及纯度较高、完整性好的外延薄膜是制作超长波长光电器件的理想材料。