硅锗薄膜上低维结构的PL发光的物理模型

摘要

采用高温氧化(800℃)和激光辐照低温氧化(300℃)的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶.这两种方法所生成的锗纳晶所对应的光致发光(PL)在可见光范围.其中在606 nm处有很尖锐的发光峰.经比较发现:低温氧化的样品所对应的PL光谱比高温氧化的PL光谱有明显的蓝移;在606 nm处的PL光谱峰位没有变化;高温氧化的样品在606nm处PL光谱的强度明显增强.提出量子受限和锗纳晶与氧化硅的界面态综合发光模型来解释其PL光谱的产生及变化.