硅基上低维结构的受激发光

摘要

用514nm激光抽运纳晶硅样品时,我们观测到表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光,其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性。纳晶硅氧化结构通过激光辐照和退火处理来形成。解释这种受激辐射的模型已提出,其中纳晶硅与氧化硅之间的陷阱态起着重要的作用。