...
机译:硅分离层的上的多层结构的有锗(Si)的/硅的自组装岛屿的电致发光的厚度的影响(001)
Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;
Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;
Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;
Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;
Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;
Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;
Max-Planck-lnstitut fdr Mikrostrukturphysik Weinberg 2 06120 Halle/Saale Germany;
Max-Planck-lnstitut fdr Mikrostrukturphysik Weinberg 2 06120 Halle/Saale Germany;
机译:cap-Si / Si0.83Ge0.17 / Si(001)和epi-CoSi2 / Si0.83Ge0.17 / Si(001)结构中外延CoSi2和SiGe层的应变弛豫
机译:IV型应变合金的带偏移预测:Si(001)上的Si_(1-x-y)Ge_x C_y和Si_1-z Ge_z(001)上的Si_1-x Ge_x
机译:固态合成中的远程化学相互作用:外延Ni(001)/ Ag(001)/ Fe(001)三层中Ni与Fe的反应
机译:a-HfO2 / a-SiO / SiGe(001)和a-HfO2 / a-SiO2 / SiGe(001)界面的密度泛函分子动力学模拟和实验测量
机译:离子表面上物理吸附的双原子分子的结构,稳定性和相变的计算机模拟:一氧化碳/氧化镁(001),氮/氧化镁(001)和氮/氯化钠(001)系统。
机译:使用单步HiPIMS工艺将Cu(001)薄膜外延生长到Si(001)上
机译:TiN(001)/ SiN / TiN(001)和TiN(001)/ SiC / TiN(001)界面在超硬纳米复合材料中的比较第一性原理分子动力学研究