Joint Lab IHP/BTU Cottbus, Cottbus, Germany;
Joint Lab IHP/BTU Cottbus, Cottbus, Germany,Leibniz Institut fuer innovative Mikroelektronik (IHP), Frankfurt (Oder), Germany;
Institut fuer Halbleitertechnik (IHT), University of Stuttgart, Stuttgart, Germany;
Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany;
Saint Petersburg State University, Saint Petersburg, Russia;
Institut fuer Halbleitertechnik (IHT), University of Stuttgart, Stuttgart, Germany;
Institut fuer Halbleitertechnik (IHT), University of Stuttgart, Stuttgart, Germany;
Ge; Ge on Si; LED; Luminescence; Dislocations;
机译:锗和锗在硅上的发光
机译:锗在多孔硅锗发光中的作用
机译:用于芯片上光互连应用的硅波导中锗和锗/硅锗锗量子阱的选择性区域生长
机译:来自锗和锗的发光
机译:硅(1-x)锗(x)/硅和硅/锗应变层超晶格的光致发光研究。
机译:用于垂直晶体管应用的磷掺杂硅/硅锗多层结构的生长和选择性蚀刻
机译:用于片上光学互连应用的硅波导中的锗和锗/硅锗量子孔的选择性区域生长
机译:硅锗合金超晶格的低温光致发光研究