纳米MOSFET栅氧化层中吸引型陷阱的参数提取方法

摘要

通过实验在室温下同时测量纳米MOSFET器件样品漏源电流和栅电流的低频噪声,发现一些样品器件中漏源电流不存在明显的RTS噪声,而栅电流存在显著的RTS噪声,而且该栅电流RTS噪声俘获时间随栅压增大而增大,发射时间随栅压增大而减小的特点,复合陷阱为库伦吸引型陷阱的特点.根据栅电流RTS噪声的时常数随栅压及漏压的变化关系,提取了吸引型氧化层陷阱的深度、在沟道中的横向位置和陷阱能级等信息.