H2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响

摘要

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H2/(H2+SiH4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响.结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变.当D=99%时,晶粒突然变大,晶化率显著提高.因此,我们认为此时的硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅.