关于继承与发展的体会

摘要

晶体缺陷的应力场，通过应力双折射在正交偏光下可产生不同的衬度分布，即产生折射像。双折射像的形状及其消光规律决定于缺陷自身应力场的性质，即决定于缺陷的类型和组态。因而可以应用这种方法来研究晶体中的缺陷和表征晶体质量。这种被称之为双折射貌相的方法，始于1956年Bond和Andrus对Si晶体中刃位错的研究。至1972～1974年间Fathers和Tanner发展和完善了其理论体系，使之成为透明晶体中研究晶体缺陷、表征晶体质量的有效方法。