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夏传钺; 刘安生; 郑有斗;
国家自然科学基金委员会;
信息科学部;
北京有色金属研究总院;
南京大学物理系;
锗化硅; 硅; 异质结构; 半导体材料;
机译:通过向SiGe / Si异质结构中注入氧和新颖的两步退火工艺制造绝缘体上SiGe材料
机译:夹层Si / SiGe / Si异质结构的光学和材料特性
机译:SiGe-Mg2Si,SiGe-Fesi2的纳米结构Mg2Si,Fesi2,SiGe和纳米复合材料的热电性能比较
机译:用于微电子和光电子应用的硅平台上锡相关的第四族材料的异质外延生长:挑战与机遇
机译:用于微电子和光电子器件应用的新型半导体材料的分子束外延。
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机译:纳米结构mg2si,Fesi2,siGe和siGe-mg2si,siGe-Fesi2纳米复合材料的热电性能比较
机译:基于siGe / si异质结构的光电子学
机译:通过硅材料的源和漏,具有基于SI / SIGE异质结的基于HBT的新型双电容1T DRAM单元
机译:SiGe材料的半导体异质结构
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