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机译:通过向SiGe / Si异质结构中注入氧和新颖的两步退火工艺制造绝缘体上SiGe材料
The Research Center of Semiconductor Functional Film Engineering Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, People's Republic of China;
SiGe/Si; SiGe-on-insulator; SIMOX;
机译:H〜+注入和两步退火对高应力缓和绝缘子上SiGe的氧化诱导Ge凝聚法的改进
机译:退火氧离子注入的弛豫SiGe / Si异质结构中的氧偏析和Ge扩散
机译:通过在绝缘体上硅衬底上快速地退火Ge来制造绝缘体上硅锗
机译:松弛的绝缘体上的SIGE通过将氧气注入到伪SIGE / SI异质结构中而形成基质
机译:用于量子计算的Si / SiGe量子点的异质结构修改,制造改进和测量自动化
机译:在单个制造步骤中生成自对准SiO2 / Ge / SiO2 / SiGe栅堆叠异质结构的独特方法
机译:透射电子显微镜原位退火研究氦注入的SiGe / Si异质结构中缺陷结构的演变