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陈城钊; 陈阳华; 黄诗浩; 李成; 赖虹凯; 陈松岩;
厦门大学物理系半导体光子学研究中心;
福建厦门361005;
韩山师范学院物理与电子工程系;
广东潮州521041;
能带工程理论; Ge/SiGe; 量子阱; 室温荧光(PL)光谱;
机译:与Si3N4波导集成的工作在1310 nm的低压Ge / SiGe多量子阱光调制器的理论研究
机译:SiGe / Si界面结构对Si / Si_(1-x)Ge_x多量子阱的低温光致发光的影响
机译:(001)-Si或SiGe衬底上Si / SiGe多量子阱的近间隙电子态的理论研究
机译:Si / Si / sub 1-x / Ge / sub x /系统中量子阱结构对热电品质因数影响的实验研究
机译:调制掺杂的Si / SiGe量子阱结构的传输性质。
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的Si / SiGe量子阱中的阱间耦合效应
机译:低压Ge / SiGe多量子阱光调制器在1310nm中与Si3N4波导集成的理论研究
机译:Ⅱ型量子阱激光器温度特性的实验与理论研究
机译:3D:Si SiGe Ge原子层刻蚀3D结构:水平和垂直表面上的SI和SIGE和GE光滑度
机译:使具有较高Ge浓度的第一SiGe层的应变Si器件松弛以具有与具有较低Ge浓度的第二SiGe层基本相同的晶格常数
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
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