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刘冠洲;
厦门大学;
HfO2/Ge界面钝化技术; Si基Ge量子阱; MOSFET晶体管; CMOS技术;
机译:具有HfO2栅介质的Si盖/超晶格Ge / Si和应变Si / Si1-xGex / Si nMOSFET的热稳定性研究
机译:臭氧和等离子体后氧化形成的具有GeO的Ge pMOSFETs <钝化> x Emphasis> Subscript>钝化
机译:超薄GE3N4钝化层对HFO2 / GE金属氧化物半导体器件结构,界面和电性能的影响
机译:(001),(011)和(111)衬底上原位Si 2 inf> H 0.92 inf> Sn 0.08 inf>量子阱PMOSFET > 6 inf>钝化:高空穴迁移率以及性能对取向的依赖性
机译:具有烷基硫基或PEG燕尾与硫或羟基锚定的per二酰亚胺受体的供体Sigma-Acceptor(D-sigma-A)分子:Langmuir-Blodgett膜的合成和应用,单分子光谱(SMS),G四联体研究和钝化金纳米粒子。
机译:臭氧和等离子体后氧化形成具有GeOx钝化的Ge pMOSFET
机译:HfO2 / Ge界面钝化和基于Si的Ge量子阱MOSFET
机译:在p-Gesi / Ge / p-Gesu量子阱内的四层双层孔系统中的量子霍尔效应的异常宽的高原。
机译:具有SiGe量子阱的SiGe智能半导体器件
机译:在SnySizGe1-y-z缓冲硅上生长的应变工程直缝式Ge / SnxGe1-x异质二极管和多量子阱光电探测器,激光器,发射器和调制器
机译:硅化栅技术,以硅化涂层扩散为基尼泰姆痕迹的硅门技术制造集成mos feldeffekttransistorschaltungen的方法
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