真空微电子压力传感器的研制

摘要

提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器.对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能.采用硅的干、湿法结合的腐蚀、氧化锐化和真空键合等工艺技术,成功地研制出传感器实验样品.对传感器实验样品的参数进行了测试分析,其场致发射阴极锥尖阵列密度达24 000个/mm2,起始发射电压为0.5～1 V,反向电压≥25 V,当正向电压为5 V时,单尖发射电流为0.2 nA,压力灵敏度为0.1μA/KPa.