ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟

摘要

以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型，此模型在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（Ｓ９Ｈ４）时所预测的成膜折射率跟实验值符合得很好，该数学模型为ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ淀积全介质光学膜的工艺模