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谭满清; 茅冬生;
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;
半导体激光器; ECRPlasmaCVD; 光学膜;
机译:用粗糙度演变描述比较不同淀积速率的硅薄膜在CVD工艺中的生长机理
机译:使用近场扫描光学显微镜通过近场扫描光学显微镜热分析808nm半导体激光器的腔正面
机译:功率对控制CH4 / Ar / N-2等离子体形成ECR-CVD氮化碳膜的工艺的影响
机译:通过恒流应力加速寿命试验预测808nm大功率半导体激光器的寿命
机译:实时原位化学传感,基于传感器的膜厚计量和W-CVD工艺中的工艺控制。
机译:化学气相沉积(CVD)法合成碳纳米材料的研究进展
机译:用微波ECR等离子体CVD沉积金刚石等碳膜的光学和力学性能
机译:贵金属单晶尺寸对球形等离子体共振区光学材料常数影响的研究。 Untersuchungen Zum Einfluss der Groesse von Edelmetall-mikrokristalliten auf die Optischen materialkonstanten im Bereich der Kugel-plasma-Resonanz
机译:带状的汽相淀积衬底的工艺,该带具有一层阻挡氧化物透明的明矾气化的蒸发反应性明矾,并使反应气体进入用于汽相淀积的设备中。
机译:用于电化学汽相淀积的原始材料汽化器,电化学汽相淀积装置和使用该装置的固态电解膜形成方法
机译:用等离子体化学汽相淀积法形成沉积膜的装置及使用它的沉积膜形成方法
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