808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺

摘要

用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了 SiO2/TiO2 高反膜及 SiO2 或 Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由 0 7 提高到 1 24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高.对这种方法所镀制的 SiO2/TiO2 膜用作 808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨,认为是一种可行的方法.