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一种大功率半导体激光器腔面解理钝化方法

摘要

一种大功率半导体激光器腔面解理钝化方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明的意义在于提高半导体激光器的出输出功率,在基本不改变半导体激光器前后腔面膜结构的情况下,提高大功率半导体激光器的COD阈值和寿命及稳定性。此方法是现在高真空的解理钝化镀膜机中解理半导体激光器bar条,然后直接在高真空中对半导体激光器bar条进行钝化,所用的钝化材料为SiN,目的在于减少解理半导体激光器bar条时在腔面产生缺陷,影响半导体激光器稳定性及寿命。此方法可以用大功率半导体激光器的生产和制造领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103269013A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN201310209125.0

  • 发明设计人 王鑫;曲轶;马骁宇;

    申请日2013-05-30

  • 分类号H01S5/028;C23C14/06;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7186号长春理工大学重点实验室

  • 入库时间 2024-02-19 20:03:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/028 申请公布日:20130828 申请日:20130530

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-10-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/028 申请日:20130530

    实质审查的生效

  • 2013-08-28

    公开

    公开

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