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Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量

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摘要

利用掠入射X射线反常散射/衍射实验技术对Si(001)上生长的单层和双层Ge量子点的组分分布进行了直接测量,结果显示,在Si间隔层厚度为90nm时得到的双层Ge量子点与单层Ge量子点的组分及其分布特征是几乎相同的.

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来源
《核技术》|2004年第6期|409-412|共4页
作者
何庆; 贾全杰; 姜晓明;
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作者单位

中国科学院高能物理研究所,北京,100039;

中国科学院高能物理研究所,北京,100039;

中国科学院高能物理研究所,北京,100039;

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正文语种 chi
中图分类与物质的相互作用;观察、分析晶体结构的实验方法;
关键词
组分; 量子点; 掠入射X射线反常衍射;

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