硅业副产物SiCl4资源化电沉积硅及其性能研究

摘要

以硅业副产物四氯化硅(SiCl_4)为溶解物,离子液体[BMIM]TF2N为溶剂,碳酸丙烯酯(PC)为支持电解质,采用三电极系统,用C-AFM方法研究[BMIM]TF2N与PC的质量比、电解液温度和沉积时间对阴极板生成物电学性质的影响,以及硅薄膜结构和表面形貌对其电学性质的影响。拉曼光谱结果证实沉积的硅薄膜是非晶态结构,在质量比为1:3的常温电解液中沉积1h制备出的硅薄膜具有很好的均匀性和电学性质。