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谢自力; 张荣; 修向前; 刘斌; 江若琏; 顾书林; 韩平; 赵红; 朱顺明; 施毅; 郑有炓;
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室;
InN; 带隙; 半导体材料; 纳米线;
机译:电绝缘材料中聚合物纳米复合材料的局部放电特性 - 样品制备技术,分析方法,潜在应用和未来趋势的综述
机译:具有薄InN阱层的蓝色发射InN / GaN量子阱的纳米结构形成和发射特性
机译:收缩:Patel,C.和Husairi,M. A.(2018),在发酵时代的公司边界中坚定的适应,普促和顺序对比和顺序对比。 J Prod Inn Innon Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Inn Innong Manag,35:330-349。 DOI:10.1111 / JPIM.12409
机译:纳米复合材料的制备技术及特性
机译:纤锌矿型InN / GaN线内圆盘结构中的光学各向异性。
机译:聚合物纳米复合材料在电绝缘中的局部放电特性:样品制备技术分析方法潜在应用和未来趋势的综述
机译:二氧化硅纳米粒子/γ-APTES纳米复合材料修饰的表面多晶硅线葡萄糖传感器的特性
机译:III-V半导体材料制备技术的研究与开发及这些材料质量评价方法:磷化镓晶体的制备
机译:通过使用能够形成单Inn纳米合金而无需额外切割的Au催化层来生长Inn纳米线的方法
机译:碳纳米管复合组装线,碳纳米管复合组装线的热处理体,制造碳纳米管复合材料组装线的方法,以及制造碳纳米管复合材料的热处理体的方法
机译:木材/竹基装饰材料表面遗传形态的仿生植物叶片微纳米结构与性能制备技术
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