日本NIMS开发膜厚仅为目前1／2的极薄磁阻元件

摘要

日本物质材料研究机构（NIMS）的宝野和博等人开发出强磁性层为钴基霍伊斯勒合金的强磁性层／非磁性层（银）／强磁性层3层结构组成的磁阻元件，用作记录密度超过2TB／in^2的下一代HDD（硬盘驱动器）用极薄再生磁头。