単結晶磁気抵抗素子膜を多結晶電極上に接合可能NIMSなど成果大容量HDDに道

摘要

物質・材料研究機構磁性・スピントロニクス材料研究拠点の桜底裕弥グループリーダーらと、産業技術総合研究所スピントロニクス研究センターの薬師寺啓研究チーム長、デバイス技術研究部門の高木秀樹総括研究主幹、菊地克弥研究グループ長の共同研究チームは、実用性が高いシリコン基板上に、優れた磁気抵抗特性を示す単結晶ホイスラー台金巨大磁気抵抗素子を作製することに成功した。さらにウェハー接合技術を用いることで、多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子膜の接合が可能であることを世界で初めて示した。従来は非実用的だった高性能単結晶素子の実用展開への新たな道筋を示したもので、ハードディスクドライブ(HDD)の大容量大化などへ寄与することが期待される。Acta Materialia誌にオンライン掲載された。