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李书科;
无;
混频器; GaAs; MESFET; 低噪声; 双栅;
机译:通过选择性湿栅凹槽蚀刻处理的超低噪声AlInAs / InGaAs HEMT
机译:选择性栅凹槽刻蚀制造的超低噪声AlInAs InGaAs HEMT
机译:采用介电辅助工艺的0.12μm双凹栅AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管的直流和微波特性比较研究
机译:基于工业伪晶AlGaAs / InGaAs / AlGaAs异质结构的非对称双栅栅探测器
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:使用100nm栅长GaAs PHEMT的共面W波段低噪声放大器NMIC
机译:用于L波段混频器的单片双栅mEsFET电路
机译:用于全栅栅晶体管的GaAs上的准同晶InGaAs
机译:利用双结构耐火栅的自对准GaAs FET的制造方法
机译:GaAs双栅FET鉴频器
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