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王文骐;
中国电子学会微波学会;
微波通信设备;
机译:底栅和双栅非晶In-Ga-Zn-O MESFET的二维数值模拟
机译:亚阈值行为的二维分析模型,用于研究深亚微米双栅GaN-MESFET的定标能力
机译:漏极侧双凹栅SiC MESFET的新颖特性研究
机译:使用两个共栅MESFET作为输入级的四种L带GaAs单片混频器的比较
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调谐,可在2GHz时实现碳化硅功率MESFET器件的峰值性能。
机译:用于神经形状应用的突触操作的核心壳双栅纳米线纳米线陷阱记忆
机译:暗和光照条件下的短栅长离子注入GaAs Mesfets的二维(2D)电势分布模型
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。
机译:使用双栅场效应晶体管的混频器电路
机译:使用双栅场效应晶体管的自激振荡混频器
机译:光学注入锁定自激双栅极MESFET混频器
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