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GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型

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摘要

提出了一种ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型．分析了ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式．通过提取适当的模型参数，其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合，说明文中提出的ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型是有效的．

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来源
《半导体学报》 |1999年第11期|994-998|共5页
作者
程知群; 孙晓玮; 夏冠群;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
MESFET; 砷化镓; PSPICE; 场效应器件; 直流模型;

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