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GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅰ.解析模型

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本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压随栅取向变化的解析表达式.结果与两维数值分析基本一致.

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来源
《半导体学报》 |1992年第4期|199-208|共10页
作者
黄庆安; 吕世骥; 童勤义;
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作者单位

东南大学微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.4;
关键词
阈值电压; 栅; 取向效应; 漂移;

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