GaAs双栅MESFET单片行波混频器

摘要

本文根据GaAs MESFET单片行波放大器的原理,研制了一种新型宽带单片混频器.混频电路制在厚为0.1mm,面积为2.7×1.8mm的GaAs基片上,RF和LO分别通过等效特性阻抗为50Ω的G_1线和G_2线进入混频电路,且这两个频率在4个GaAs双栅MESFET(DGFET)中混频.这种MMIC混频器在中频频率为1.0GHz.射频频率在2～12GHz范围内得到约为8.5dB的变频损耗(无中频匹配电路),其平坦度约为±0.6dB.这一结果有助于进一步研究与实现单片宽带微波接收机.