机译:具有共面波导(CPW)结构和0.15um GaAs pHEMT技术的Ka波段低噪声放大器
机译:具有共面波导(CPW)结构和0.15um GaAs pHEMT技术的Ka波段低噪声放大器
机译:在W波段中使用100nm栅极长度GaN-On-Silicon工艺的低噪声放大器
机译:使用100nm栅长GaAs PHEMT的共面W波段低噪声放大器MMIC
机译:用于W波段成像应用的硅 - 锗低噪声放大器的设计与实现
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:使用100nm栅长GaAs PHEMT的共面W波段低噪声放大器NMIC
机译:W波段Inas / alsb低噪声/低功率放大器。