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贺琪; 顾祥; 纪旭明; 李金航; 赵晓松;
中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214035;
辐射; 硅膜; FDSOI器件; 阈值电压; 静态电流;
机译:薄SOI和部分SOI LDMOS功率器件中自热效应的建模
机译:用于未来的极薄绝缘体上硅器件的硅单层的实验研究:由于量子约束效应而对声子/能带结构的调制
机译:单步硅离子注入辐射增强型SOI器件的研究
机译:UTBOX SOI器件和薄硅膜可实现更大的固有电压增益
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:TCAD模拟对FD-SOI霍尔传感器辐射效应的研究
机译:使用LHC读出电子器件的硅微带探测器的光束测试研究辐射损伤和衬底电阻率效应
机译:用sOI(绝缘体上硅)薄膜制造的抗辐射JFET器件和CmOs电路
机译:制备薄SOI设备的方法,能够获得制造ETSOI的薄硅膜的均匀性(绝缘体上的极薄硅)
机译:相对于SOI晶片上的基础绝缘体形成,在硅器件形成中形成硅倍数薄的器件台面
机译:形成极薄的绝缘体上硅(ETSOI)器件的方法,该器件由于源极/漏极区的环绕结构而具有减小的寄生电容和接触电阻
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