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王永坤; 余建祖; 余雷; 陈大鹏;
北京航空航天大学;
北京100083;
中国科学院微电子中心;
北京100010;
有限元; 掩模; X射线光刻; 后烘烤; 温度分布;
机译:通过使用具有非化学放大抗蚀剂和曝光后烘烤的可变形状电子束光刻技术来制造高分辨率掩模
机译:通过掩模拖动X射线光刻和对准X射线光刻技术制造聚合物微针阵列
机译:移动掩模深X射线光刻的X射线光刻验证与开发仿真系统
机译:暴露后烘烤过程中X射线掩模的热控制研究
机译:预测由于在吸盘过程中夹带颗粒而导致的极端紫外线光刻掩模的图案表面变形。
机译:X射线光刻掩模计量学:透射电子在SEM中用于线宽测量
机译:X射线光刻的验证和移动掩模深X射线光刻的开发仿真系统
机译:通过具有50nm线宽的X射线掩模的三电平电子束光刻制造,以及通过X射线纳米光刻复制
机译:确定组分分布的方法,例如光刻胶体积中的可溶成分涉及后烘烤过程,随后进行光刻曝光,从而降低电池中光刻胶体积的一部分
机译:X射线掩模,X射线掩模的制造以及用于X射线光刻的设备和方法
机译:使用X射线光刻的X射线掩模复制系统-使用望远镜和电容式间距传感器来精确对准和隔开掩模支架和散热器
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