微流控芯片硅阳模的加工

摘要

研究了单晶硅阳模的制作工艺.考察了光刻胶前烘和后烘的温度、刻蚀剂浓度、组成及刻蚀温度等因素对单晶硅阳模质量的影响.得出了单晶硅阳模制作的最佳条件,用AZ4620光刻胶转移图形及二氧化硅为硅片刻蚀的牺牲层,前烘温度为90℃,后烘温度为120℃,刻蚀温度为60℃;刻蚀液组成为氢氧化钾23.4%,异丙醇14.9%,水61.7%.在该条件下制作的单晶硅阳模表面光亮,通道侧壁较光滑.用热压法可快速地将此阳模上的微通道复制于聚碳酸酯基片上,每片约需时5 min.已成功地复制了200多片.