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加工聚合物微流控芯片硅阳模的研究

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本文研究了用光刻和湿法刻蚀的方法制作微流控芯片硅阳模的方法.单晶硅阳模制作工序示于图1.在n型<100>单晶硅片表面生长一层600nm厚的二氧化硅(SiO<,2>)作为牺牲层;用Az4620光刻胶转移掩模图形,含KOH23.4％、异丙醇14.9﹪的水溶液作为刻蚀液,在60°C不断摇动的条件下刻蚀3h,得到的表面光洁单晶硅阳模.

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来源
《第八届中国化学会分析化学年会暨第八届全国原子光谱学术会议》|2003年|291-292|共2页
会议地点桂林
作者
叶美英; 殷学锋; 方肇伦;
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作者单位

中国化学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;生物学实验与生物学技术;
关键词
微流控芯片; 硅阳模; 刻蚀; 生物芯片;

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