p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望

王新胜; 杨天鹏; 刘维峰; 徐艺滨; 梁红伟; 常玉春; 杜国同

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p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望

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ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.

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来源
《材料导报》|2006年第1期|104-108|共5页
作者
王新胜; 杨天鹏; 刘维峰; 徐艺滨; 梁红伟; 常玉春; 杜国同;
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作者单位

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

吉林大学电子工程学院,长春,130023;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

吉林大学电子工程学院,长春,130023;

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;

吉林大学电子工程学院,长春,130023;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
ZnO薄膜; p型掺杂; 第一性原理; MOCVD; MBE;
入库时间 2022-08-17 16:23:37

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