Sol—gel法制备Si基Bi3．15Nd0．85Ti3012铁电薄膜

摘要

采用Sol-gel法分别在Si（100）和Si（111）衬底上制备Bi3．15Nd0．85Ti3012（BNT）铁电薄膜。研究了衬底、退火温度、退火保温时间和薄膜厚度等因素对BNT铁电薄膜结晶和微观结构的影响。在500℃退火的BNT薄膜已经结晶形成层状钙钛矿相；升高退火温度（500-800℃）、延长保温时间（30-150min）、增加薄膜厚度（170-850nm），都有利于BNT薄膜晶粒长大，其中退火温度和薄膜厚度是影响晶粒长大的关键因素；每次涂覆的厚度大约是85nm。与Si（100）衬底相比，由于si（111）与BNT薄膜具有更好的晶格匹配，因此BNT薄膜在Si（111）衬底上更容易结晶。