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梁俊华; 郭冰; 刘旭;
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室;
AlN薄膜; 反应磁控溅射; 缓冲层; 择优取向;
机译:在具有c轴层缓冲层的MgO基板上通过RF溅射方法生长的ab取向YBa / sub 2 / Cu / sub 3 / O / sub 7 /薄膜
机译:射频磁控溅射在Si(100)衬底上生长的高c轴织构MgO缓冲层的制备和表征,用作铁电薄膜的生长模板
机译:ZnO膜的离轴溅射沉积在c蓝宝石衬底上,并具有通过氮介导的结晶制备的缓冲层
机译:通过90度离轴溅射原位生长的高临界转变温度超导薄膜和多层膜的合成和性能。
机译:Al2O3缓冲层对溅射VO2薄膜性能的影响
机译:RF磁控溅射法在缓冲层上生长的Al掺杂ZnO薄膜的表征
机译:BaF2缓冲层用于溅射沉积TlCaBaCuO薄膜超导体的用途。
机译:生产氮化铝氮化铝薄膜,例如用于发光二极管的发光层的方法,包括在氮气气氛中溅射a铝合金靶以分离衬底上的薄膜
机译:利用原子层沉积生长C轴取向ZnO薄膜的方法和使用该方法生长的光学器件
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