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姚然; 朱俊杰; 段理; 朱拉拉; 傅竹西;
中国科学技术大学物理系;
氧化锌; 直流溅射; MOCVD; 缓冲层;
机译:具有GaN和ZnO双缓冲层的氮化Si(1 0 0)衬底上生长的ZnO薄膜的光电特性
机译:等离子体辅助分子束外延在具有生长中断缓冲层的Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜
机译:ScGaO_3(ZnO)_m缓冲层制备ScAlMgO_4外延薄膜及其在ZnO外延生长的晶格匹配缓冲层中的应用
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:染料敏化太阳能电池中具有ZnO和TiO2缓冲层的ZnO纳米线薄膜的水热生长及其应用
机译:ZnO和TiO 2 sub>缓冲层ZnO纳米线薄膜在染料敏化太阳能电池中的水热生长及应用
机译:基于Znse和ZnO缓冲层的多晶薄膜CuInse(sub 2)太阳能电池的研究。最终报告,1992年2月16日 - 1995年11月15日
机译:使用ZnO缓冲层在Si上生长GaN
机译:ZnO S CZTS制造具有ZnO S缓冲层的CZTS基薄膜太阳能电池的方法
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