法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-07
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20160921 申请日:20160628
发明专利申请公布后的驳回
2016-10-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20160628
实质审查的生效
2016-09-21
公开
公开
机译: 利用原子层沉积和包括P型ZnO半导体层的薄膜晶体管制造P型ZnO半导体层的方法
机译: 利用原子层沉积和包括P型ZnO半导体层的薄膜晶体管制造P型ZnO半导体层的方法
机译: 制备薄膜晶体管空基板的阶段,该薄膜晶体管空基板包括利用生产方法生产的ZnO半导体膜及其利用的p模ZnO半导体膜的生产方法