一种制备ZnO／ZnS复合光电薄膜的方法

摘要

申请公布号：CN104022189A申请公布日：2014．09．03申请人：山东建筑大学摘要一种制备ZnO／ZnS复合光电薄膜的方法，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明通过如下步骤得到：首先清洗基片，然后将ZnO，CH4N：S放人溶剂中，采用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器中，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，最后进行干燥，得到ZnO／ZnS复合光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，