射频反应溅射法制备SnO_(2-x)纳米薄膜的气敏特性研究

摘要

采用射频反应溅射法在不同氧气分压下制备SnO2-x薄膜,然后在不同温度下对其进行退火处理.利用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征技术,研究了制备条件对SnO2-x薄膜的结晶性能和表面形貌的影响.研究结果显示,当氧气分压为50%时,可以制备出质量较高的SnO2-x纳米薄膜.当退火温度从450℃升高到550℃,样品的电阻率降低.退火温度500℃的样品在工作温度225℃时,对乙醇有较高的灵敏度,灵敏度达67%,对丁烷的灵敏度不高.