射频磁控反应溅射法制备Y2O3薄膜的工艺研究

摘要

采用射频磁控反应溅射法制备氧化钇(Y2O3)薄膜.系统研究了工艺参数对Y2O3薄膜沉积速率的影响规律,使用X射线光电子能谱仪(XPS)分析表征了薄膜的成分.结果表明,Y2O3薄膜的沉积速率随射频功率的增大而增大,在合适的溅射压强下沉积速率呈现极大值,O2/Ar气体流量比和衬底温度的影响不明显,对此从理论上进行了解释.制备的薄膜中Y和O元素的原子浓度基本符合Y2O3的化学计量比.