氧化铪薄膜的制备及光电性能研究进展

摘要

氧化铪(HfO_(2))是一种简单的二元金属氧化物,具有宽禁带、高介电常数、高折射率、高透射、高抗激光损伤和高熔点等特点,在光电器件领域有着广阔的应用前景.HfO_(2)还具有良好的铁电与阻变性能且与CMOS工艺相兼容,使其在非易失存储器领域也得到了广泛研究.结合近年来国内外HfO_(2)薄膜制备及性能研究,综述了HfO_(2)薄膜制备方法和光电性能的研究进展.