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摘 要
第一章 绪 论
1.1 研究背景
1.2 MOSFET简述
1.2.1 MOSFET的原理
1.2.2 MOSFET的等比例缩小规则
1.2.3 SiO2栅介质材料的局限性
1.3 高介电常数栅介质材料
1.3.1 等效栅介质层厚度
1.3.2 高介电常数栅介质的标准
1.3.3 高介电常数栅介质的研究进展
1.3.4 HfO2和ZrO2作为栅介质的优势
1.4 本论文的研究内容
1.4.1论文研究技术路线及研究内容
1.4.2论文研究目的及意义
第二章 试验方法
2.1 试验原料
2.1.1 溅射靶材
2.1.2 化学试剂
2.2 试验原理及设备
2.2.1 ZrO2和HfO2溅射镀膜原理
2.2.2 磁控溅射镀膜装置
2.2.3 其它设备
2.3 试验方案
2.3.1 清洗Si基衬底
2.3.2 栅介质薄膜的制备
2.3.3 电容器的制备
2.4 栅介质薄膜的测试与表征
2.4.1 X射线衍射分析（XRD）
2.4.2 原子力显微镜（AFM）
2.4.3 扫描电子显微镜（SEM）
2.4.4 拉曼光谱（Raman）
2.4.5 电学特性
第三章 ZrO2栅介质薄膜的制备及性能研究
3.1 ZrO2薄膜的XRD分析
3.2 ZrO2薄膜的AFM分析
3.3 ZrO2薄膜的FE-SEM分析
3.3.1 ZrO2薄膜的表面分析
3.3.2 ZrO2薄膜的截面分析
3.4 ZrO2薄膜的Raman分析
3.5 ZrO2薄膜的电学性能
3.5.1 ZrO2薄膜的J-V性能
3.5.2 ZrO2薄膜的C-V性能
3.6 本章小结
第四章 HfO2栅介质薄膜的制备及性能研究
4.1 HfO2薄膜的XRD分析
4.2 HfO2薄膜的AFM分析
4.3 HfO2薄膜的FE-SEM分析
4.3.1 HfO2薄膜的表面分析
4.3.2 HfO2薄膜的截面分析
4.4 HfO2薄膜的电学性能
4.4.1 HfO2薄膜的J-V特性
4.4.2 HfO2薄膜的C-V特性
4.5 本章小结
结论与展望
参考文献
硕士期间发表论文及获奖情况
致 谢
个人简历
