机译:氧化铟和氧化铟锡氧化物通道铁电栅极薄膜晶体管,具有钇掺杂的二氧化铪 - 二氧化锆栅极绝缘体,由化学溶液方法制备
Japan Adv Inst Sci & Technol JAIST Sch Mat Sci Nomi Ishikawa 9231211 Japan;
Murata Mfg Co Ltd Nagaokakyo Kyoto 6178555 Japan;
Japan Adv Inst Sci & Technol JAIST Sch Mat Sci Nomi Ishikawa 9231211 Japan;
Ferroelectric Gate Transistor (FGT); Hafnium Dioxide; Chemical Solution Deposition (CSD); Indium tin oxide(ITO); Indium oxide; Ferroelectric HZO;
机译:铁电栅极绝缘体TFT应用溶液法制备钇掺杂铪 - 二氧化锆二氧化薄膜的电性能
机译:通过溅射和化学溶液沉积氧化物通道铁电栅晶体管应用沉积的氧化铪 - 二氧化锆膜中铁电性的热稳定性
机译:溶液-铟锌-硅-氧化硅有源沟道和有机铁电栅绝缘体组成的混合栅叠层薄膜晶体管的非易失性存储特性
机译:溶液处理的壳聚糖质子导体门控的低压铟锌氧化物薄膜晶体管
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:薄膜晶体管溶液处理氧化锌薄膜中的低浓度铟掺杂
机译:聚(亚胺 - 苯并恶唑)栅极绝缘体具有高热阻的溶液加工的柔性铟 - 氧化锌薄膜晶体管